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AO4801.

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

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AO4801. 技术参数
  • AO4800L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 6.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4800B 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 6.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4772 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式) 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):310pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4771L 功能描述:MOSFET P-CH W/DIODE 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管(体) 功率耗散(最大值):2W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:3,000 AO4771 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式) 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):350pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4805 AO4805L_101 AO4806 AO4806L AO4807 AO4807_101 AO4807L AO4812_101 AO4812L AO4812L_101 AO4813 AO4813_002 AO4818B AO4818BL_101 AO4818L AO4821 AO4821L AO4822_101
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