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AO4840L_102

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    AO4840L_102

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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AO4840L_102 技术参数
  • AO4840E 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 40V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):520pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4840 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4838 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.6 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1300pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4832 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):910pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4830L 功能描述:MOSFET 2N-CH 80V 3.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):770pF @ 40V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4862E AO4882 AO4884 AO4884L_001 AO4886 AO4892 AO4914_101 AO4914L AO4924 AO4924L AO4932 AO4946 AO4952 AO5401E AO5404E AO5404E_001 AO5404EL AO5600E
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