您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 >

AO6401D1

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
AO6401D1 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AO6401D1 技术参数
  • AO6401A 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):44 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1180pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 6.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1030pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6085N03 功能描述:MOSFET N-CH 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta),50A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.9W(Ta),31W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 标准包装:3,000 AO5804EL 功能描述:MOSFET N-CH SC89-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SC-89-6 标准包装:3,000 AO5804E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SC-89-6 标准包装:1 AO6409_DELTA AO6409A AO6409A_102 AO6411 AO6414 AO6415 AO6420 AO6424 AO6424A AO6601 AO6601_001 AO6602L AO6604 AO6604L_001 AO6608 AO6701 AO6704 AO6800
配单专家
AO6401D1相关热门型号

在采购AO6401D1进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买AO6401D1产品风险,建议您在购买AO6401D1相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的AO6401D1信息由会员自行提供,AO6401D1内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号