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AO6418

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AO6418 技术参数
  • AO6415 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 3.3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):620pF @ 10V 功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6414 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.3A 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 2.4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):300pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6411 功能描述:MOSFET P-CH 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1025pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.7W(Ta) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:3,000 AO6409A_102 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6TSOT 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:3,000 AO6409A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A TSOP6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):41 毫欧 @ 5.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):905pF @ 10V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6701 AO6704 AO6800 AO6800L_003 AO6801A AO6801E AO6802 AO6802L_001 AO6804 AO6804A AO6804A_101 AO6808 AO6808_101 AO6810 AO7400 AO7401 AO7403 AO7403_001
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