AOB2904

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOB2904
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
19116
AOS/美国万代
TO-263
21+
-
原厂原装现货

AOB2904
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
50008
YXYBDT台湾
TO-263
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

AOB2904
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
D2PAK/TO-263
2024+
-
国产品牌，可替代原装

AOB2904
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
AOS/万代
TO-263
23+
-
原装正品欢迎咨询

AOB2904
深圳市诚创信科技有限公司
深圳市诚创信科技有限公司
联系人：廖敏
电话：13135041015
地址：福田区南光捷佳2018室
96000
AOS
TO-263
20+
-
原装现货

AOB2904
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3551
AOS
TO-263
2207+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
*
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-263（D2Pak）
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
标准包装
800

AOB2904 技术参数

AOB288L 功能描述:MOSFET N CH 80V 10.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1871pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:800 AOB286L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 13A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），70A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3142pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:800 AOB284L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 16A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5154pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:800 AOB282L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18.5A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:178nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7765pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:800 AOB280L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 20.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20.5A（Ta），140A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11135pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:800 AOB411L_001 AOB412L AOB414 AOB414_001 AOB416 AOB418 AOB4184 AOB42S60L AOB440 AOB442 AOB462L AOB470L AOB480L AOB482L AOB4S60L AOB5B60D AOB5B65M1 AOB7S60L