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AOB66613L

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  • AOB66613L
    AOB66613L

    AOB66613L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc,iscsemi

  • D2PAK/TO-263

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

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AOB66613L 技术参数
  • AOB5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.98V @ 15V,5A 功率 - 最大值:83W 开关能量:80μJ(开),70μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:8.5ns/106ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):195ns 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB5B60D 功能描述:IGBT 600V 23A 82.4W Surface Mount TO-263 (D2Pak) 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.8V @ 15V, 5A 功率 - 最大值:82.4W 开关能量:140μJ(开),40μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:9.4nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/83ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):98ns 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:800 AOB4S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):263pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB482L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.9 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):81nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4870pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB480L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7820pF @ 40V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOC2414 AOC2415 AOC2417 AOC2421 AOC2422 AOC2423 AOC2800 AOC2802 AOC2802_001 AOC2804 AOC2804B AOC2806 AOC2870 AOC3860 AOC3862 AOC3864 AOC3868 AOC4810
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