AOD206_030

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功能描述
MOSFET N-CH TO252
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaMOS
包装
带卷（TR）
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
33nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1333pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
5 毫欧 @ 20A，4.5V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
标准包装
2,500

AOD206_030 技术参数

AOD206_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1333pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD200 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD1N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 650mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD11S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:399 毫欧 @ 3.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5-SW 功能描述:10MHz Sine Wave OCXO Oscillator Through Hole 5V 制造商:abracon llc 系列:AOCTQ5 包装:托盘零件状态:有效类型:OCXO 频率:10MHz 功能:- 输出:正弦波电压 - 电源:5V 频率稳定度:±5ppb 工作温度:-55°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大值）:- 等级:- 安装类型:通孔大小/尺寸:1.417" 长 x 1.063" 宽（36.00mm x 27.00mm）高度:0.476"（12.10mm）封装/外壳:6-DIP（5 引线）电流 - 电源（禁用）（最大值）:- 标准包装:1 AOD2544 AOD256 AOD256_001 AOD2606 AOD2610 AOD2610_002 AOD2610E AOD2810 AOD2816 AOD2904 AOD2908 AOD2908_002 AOD2910 AOD2910E AOD2916 AOD2922 AOD294A AOD296A