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AOD446 MOS(场效应管)

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    AOD446 MOS(场效应管)

    AOD446 MOS(场效应管)

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • AOS/万代

  • TO-252

  • 21+原装

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  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

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AOD446 MOS(场效应管) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AOD446 MOS(场效应管) 技术参数
  • AOD446 功能描述:MOSFET N-CH 75V 10A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 5A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):350pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:2,500 AOD4454 功能描述:MOSFET N-CH 150V 3A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta),20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):94 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):985pF @ 75V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:2,500 AOD444 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta),12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD442 功能描述:MOSFET N-CH 60V 38A TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta),37A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD4286 功能描述:MOSFET N CH 100V 4A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta),14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):390pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:2,500 AOD464 AOD468 AOD472 AOD472A AOD474 AOD474A AOD474B AOD476 AOD478 AOD480 AOD482 AOD484 AOD486A AOD492 AOD496 AOD496A AOD498 AOD4C60
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