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AOD607_001

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  • AOD607_001
    AOD607_001

    AOD607_001

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • 22+

  • -
  • 原装正品

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
AOD607_001 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N/P-CH 30V TO252-4
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 停產
  • FET 类型
  • N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源电压(Vdss)
  • 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 12A(Tc)
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
  • 供应商器件封装
  • TO-252-4L
  • 标准包装
  • 2,500
AOD607_001 技术参数
  • AOD607 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道,共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1250pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD606 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道,共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):404pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W,1.7W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:1 AOD604 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):404pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W,1.7W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-6,DPak(5 引线 + 接片) 供应商器件封装:TO-252-5 标准包装:1 AOD603A 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道,共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A,3A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD5T40P_101 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):273pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):52W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.45 欧姆 @ 1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:2,500 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA AOH3106 AOH3110 AOH3254 AOI11S60 AOI1N60 AOI1N60L AOI206_002
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