AOI1608CNR10JT

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深圳市博盛源科技有限公司
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AOI1608CNR10JT 技术参数

AOI11S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:399 毫欧 @ 3.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOH3254 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:675pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.1W (Ta) 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:63 毫欧 @ 5A, 10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223-4 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:2,500 AOH3110 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT223 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 900mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 AOH3106 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:185pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:2,500 AO-FME-SMA 功能描述:ANTENNA ADAPTER REDUCTION FME-F 制造商:b&b smartworx, inc. 系列:- 零件状态:在售配件类型:适配器配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 AOI294A AOI296A AOI2N60 AOI2N60A AOI403 AOI409 AOI4102 AOI4126 AOI4130 AOI4144_002 AOI4146 AOI418 AOI4184 AOI4185 AOI423 AOI4286 AOI442 AOI444