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AOI4189

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  • AOI4189
    AOI4189

    AOI4189

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 14000

  • isc,iscsemi

  • IPAK/TO-251

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOI4189
    AOI4189

    AOI4189

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • A

  • TO-251A

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • 1/1页 40条/页 共1条 
  • 1
AOI4189 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AOI4189 技术参数
  • AOI4185 功能描述:MOSFET P-CH 40V 40A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2550pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI4184 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6.5A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1800pF @ 20V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI418 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),36A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1380pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI4146 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2440pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:70 AOI4144_002 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1430pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:1 AOI4N60 AOI4S60 AOI4T60 AOI4T60P AOI4TL60 AOI508 AOI510 AOI514 AOI516 AOI516_001 AOI516_002 AOI518 AOI518_001 AOI530 AOI538 AOI5N40 AOI7N60 AOI7N65
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