AOI460

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
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批号
价格
说明
操作

AOI460
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
A
TO-251A
22+
-
十年配单，只做原装

AOI460
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
10000
isc,iscsemi
IPAK/TO-251
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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AOI460 技术参数

AOI452A 功能描述:MOSFET TO-251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:55A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI444 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta），12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI442 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta），37A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI4286 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta），14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:68 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:390pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:70 AOI423 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.7 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2760pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI508 AOI510 AOI514 AOI516 AOI516_001 AOI516_002 AOI518 AOI518_001 AOI530 AOI538 AOI5N40 AOI7N60 AOI7N65 AOI7S65 AOI8N25 AOI9N50 AOK10B60D AOK10N90