AON2701L

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AON2701L
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
10181
AOS
QFN
21+
-
原厂原装现货

AON2701L#A
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Alpha & Omega Semiconduct
6-DFN
17+
-
全新原装现货

AON2701L
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
AOS
QFN
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1/1页 40条/页共19条
1

您是不是要找： AON2705 AON2705_001 AON2707 AON2800 AON2801 AON2801L AON2802

AON2701L PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AON2701L PDF下载

制造商
AOSMD
制造商全称
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

AON2701L 技术参数

AON2701_001 功能描述:MOSFET P-CH W/DIODE DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:700pF @ 10V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN（2x2）封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON2701 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）标准包装:3,000 AON2420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A 6LDFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.7 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:552pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）标准包装:1 AON2411 功能描述:MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 12A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2180pF @ 6V 功率 - 最大值:5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN（2x2）标准包装:1 AON2410 功能描述:MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:813pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）标准包装:1 AON2803 AON2809 AON2810 AON2812 AON2880 AON3402 AON3414 AON3419 AON3611 AON3613 AON3806 AON3810 AON3814 AON3816 AON3816_101 AON3818 AON3820 AON4407