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AON6718L_101

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    AON6718L_101

    AON6718L_101

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • 8-DFN

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
AON6718L_101 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • SRFET??
  • 包装
  • 散装
  • 零件状态
  • 过期
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 18A(Ta),80A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 3.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 72nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 4463pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2.1W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-DFN
  • 供应商器件封装
  • 8-DFN(5x6)
  • 标准包装
  • 1
AON6718L_101 技术参数
  • AON6702 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5X6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):26A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):123nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7080pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6598 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:停產 标准包装:3,000 AON6596 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1150pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:3,000 AON6594 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1037pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:3,000 AON6590 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):67A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.99 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8320pF @ 20V 功率 - 最大值:7.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:3,000 AON6758_103 AON6758_104 AON6760 AON6764 AON6774 AON6780 AON6782 AON6786_001 AON6792 AON6794 AON6796 AON6810 AON6812 AON6816 AON6850 AON6884 AON6884L AON6884L_002
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