AON6790L

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AON6790L
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
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AON6790L 技术参数

AON6786_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6780pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6782 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6780pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6780 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9600pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6774 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.05 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3000pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6764 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:37nC @ 1V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2120pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:42W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6884L_002 AON6906A AON6908A AON6910A AON6912A AON6912ALS AON6914 AON6916 AON6918 AON6920_001 AON6922 AON6924 AON6926 AON6928 AON6932 AON6932A AON6934 AON6934A