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AON6812L

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  • AON6812L
    AON6812L

    AON6812L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 10000

  • isc,iscsemi

  • DFN5×6

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AON6812L
    AON6812L

    AON6812L

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • AOS/万代

  • DFN5X6

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全称
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • DFN5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION
AON6812L 技术参数
  • AON6812 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1720pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP(5.2x5.55) 标准包装:1 AON6810 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1720pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP(5.2x5.55) 标准包装:1 AON6796 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.9 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6794 功能描述:MOSFET N-CH 30V 39A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):39A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2150pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6792 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):44A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):49nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3110pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6912ALS AON6914 AON6916 AON6918 AON6920_001 AON6922 AON6924 AON6926 AON6928 AON6932 AON6932A AON6934 AON6934A AON6936 AON6938 AON6946 AON6970 AON6970_001
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