AON7232 中高压MOS管

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AON7232 中高压MOS管技术参数

AON7232 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 37A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1770pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:39W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.5 毫欧 @ 12A, 10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）封装/外壳:8-PowerWDFN 标准包装:3,000 AON7230 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 47A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2320pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:54W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.5 毫欧 @ 13A, 10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）封装/外壳:8-PowerWDFN 标准包装:3,000 AON7220 功能描述:MOSFET N-CH 25V 37A DFN3.3X3.3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3554pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）标准包装:3,000 AON7210 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2380pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）标准包装:1 AON7202L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7280 AON7290 AON7292 AON7296 AON7380 AON7400 AON7400A AON7400AL AON7400AL_101 AON7400AL_102 AON7400AL_103 AON7400B AON7400B_101 AON7401 AON7402 AON7402_101 AON7402L AON7403