AON7812

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功能描述
MOSFET 2N-CH 30V 6A
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
14.5 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
600pF @ 15V
功率 - 最大值
4.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线
供应商器件封装
8-DFN（3x3）
标准包装
1

AON7812 技术参数

AON7810 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:542pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7804_102 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:888pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7804 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:888pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7788 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7784 功能描述:MOSFET N-CH 30V 31A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4600pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）标准包装:1 AOP607 AOP609 AOP610 AORN1001AT5 AORN100-1AT5 AORN1002AT5 AORN1003AT5 AORN10-1AT5 AORN2001AT5 AORN2002AT5 AORN20-1AT5 AORN2-1AT5 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5