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AOT-1615RGB43A-Z

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  • AOT-1615RGB43A-Z0-N-3
    AOT-1615RGB43A-Z0-N-3

    AOT-1615RGB43A-Z0-N-3

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 15000

  • AOT

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  • 23+

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  • 原厂原装正品现货

  • AOT-1615RGB43A-Z0-N-3
    AOT-1615RGB43A-Z0-N-3

    AOT-1615RGB43A-Z0-N-3

  • 深圳市莱特斯电子科技有限公司
    深圳市莱特斯电子科技有限公司

    联系人:江先生

    电话:19176527791

    地址:深圳市福田区赛格广场1609A

    资质:营业执照

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  • AOT

  • 21+

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  • AOT-1615RGB43A-Z0-N-3
    AOT-1615RGB43A-Z0-N-3

    AOT-1615RGB43A-Z0-N-3

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 115

  • AOT

  • LED

  • 10+

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  • 原装现货/特价

  • AOT-1615RGB43A-Z0-N-3-M
    AOT-1615RGB43A-Z0-N-3-M

    AOT-1615RGB43A-Z0-N-3-M

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • AOT-1615RGB43A-Z0-N-3-M
    AOT-1615RGB43A-Z0-N-3-M

    AOT-1615RGB43A-Z0-N-3-M

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • AOT-1615RGB43A-Z
    AOT-1615RGB43A-Z

    AOT-1615RGB43A-Z

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人:

    电话:18320850923

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 4900

  • -
  • 代理分销库存,提供BOM配单服务

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AOT-1615RGB43A-Z PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AOT-1615RGB43A-Z 技术参数
  • AOT1608L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta),140A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3690pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT1606L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 178A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta),178A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.3 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):102nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4500pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT15S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):841pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT15S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):372pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT15B65M1 功能描述:IGBT 650V 15A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.15V @ 15V,15A 功率 - 最大值:214W 开关能量:290μJ(开),200μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:13ns/116ns 测试条件:400V,15A,20 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):317ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT210L AOT2142L AOT22N50L AOT240L AOT2500L AOT2502L AOT254L AOT25S65L AOT2606L AOT2608L AOT260L AOT2610L AOT2618L AOT262L AOT264L AOT266L AOT270AL AOT270L
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