AOT12N60_001

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共6条
1

您是不是要找： AOT12N60FD AOT12N65 AOT12N65_001 AOT13N50 AOT1404L AOT14N50 AOT14N50FD AOT15B60D AOT15B65M1

AOT12N60_001 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AOT12N60_001 PDF下载

功能描述
MOSFET N-CH 30V TO220
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件状态
最後搶購
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
50nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2100pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
278W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
550 毫欧 @ 6A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
50

AOT12N60_001 技术参数

AOT12N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT12N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1633pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT12N40L 功能描述:MOSFET N-CH 400V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:590 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1110pF @ 25V 功率 - 最大值:184W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT12N30L 功能描述:MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:420 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:790pF @ 25V 功率 - 最大值:132W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT11S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:399 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:646pF @ 100V 功率 - 最大值:198W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT15S60L AOT15S65L AOT1606L AOT1608L AOT16N50 AOT1N60 AOT20B65M1 AOT20C60 AOT20C60L AOT20C60PL AOT20N25L AOT20N60L AOT20S60L AOT210L AOT2142L AOT22N50L AOT240L AOT2500L