AOTF290L

配单专家企业名单

型号
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价格
说明
操作

AOTF290L
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
118992
YXYBDT台湾
TO-220F
2025+
-
代理台湾YXYBDT.现货

AOTF290L
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
TO-220F
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 72A TO220F
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
126nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7180pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
48W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4.2 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
50

AOTF290L 技术参数

AOTF288L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 10.5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta），43A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1871pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF286L 功能描述:MOSFET NCH 80V 56A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A(Ta), 56A(Tc) 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3142pF @ 40V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:50 AOTF27S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 27A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1294pF @ 100V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF266L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），78A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5650pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF262L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17.5A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:135nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8140pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF3N100 AOTF3N50 AOTF3N80 AOTF3N90 AOTF404 AOTF409 AOTF4126 AOTF4185 AOTF42S60L AOTF450L AOTF454L AOTF472 AOTF474 AOTF4N60 AOTF4N60L AOTF4N90 AOTF4S60 AOTF4T60P