AOTS40B65H1全国供应商【买卖IC网】AOTS40B65H1资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOTS40B65H1
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Alpha & Omega Semiconduct
TO-220
17+
-
全新原装现货

AOTS40B65H1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

AOTS40B65H1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4960
ALPHA & O
管件
1521+
-
全新原装现货

AOTS40B65H1
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
10000
isc,iscsemi
TO220
2024+
-
国产品牌，可替代原装

AOTS40B65H1
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
878
Alpha & Omega Semiconduct
TO-220-3
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

AOTS40B65H1
深圳市贸盛微电子有限公司
深圳市贸盛微电子有限公司
联系人：周先生
电话：0755-8220875218127068687
地址：深圳市罗湖区嘉宾路友谊大厦五栋3楼G
资质：营业执照
30000
AOS
TO220
NA
-
原装现货

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1

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功能描述
IGBT 650V 40A TO220
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
Alpha IGBT??
包装
管件
零件状态
有效
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值
300W
开关能量
1.27mJ（开），460μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
63nC
25°C 时 Td（开/关）值
41ns/130ns
测试条件
400V、 40A、 7.5 欧姆、 15V
反向恢复时间（trr）
-
封装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
标准包装
1,000

AOTS40B65H1 技术参数

AOTF9N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 欧姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2560pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:700V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1042pF @ 25V 功率 - 最大值:38.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF8T50P_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:905pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:38W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:810 毫欧 @ 4A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:50 AOTF8T50P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:810 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:905pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOU7S60 AOU7S65 AOV11S60 AOV15S60 AOV20S60 AOW10N60 AOW10N65 AOW10T60 AOW10T60P AOW11N60 AOW11S60 AOW11S65 AOW12N50 AOW12N60 AOW12N65 AOW14N50 AOW15S60 AOW15S65