AOWF10T60P全国供应商【买卖IC网】AOWF10T60P资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOWF10T60P
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ALPHA & O
1521+
-
全新原装现货

AOWF10T60P
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
16719
AOS/万代
TO262F
21+
-
原厂原装现货

AOWF10T60P
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Alpha & Omega Semiconduct
TO-262F
17+
-
全新原装现货

AOWF10T60P
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
AOS/万代
TO262F
23+
-
原装正品欢迎咨询

AOWF10T60P
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
AOS
TO-262F
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AOWF10T60P
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4233
AOS/万代
TO-262F
2201+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

AOWF10T60P
深圳市贸盛微电子有限公司
深圳市贸盛微电子有限公司
联系人：周先生
电话：0755-8220875218127068687
地址：深圳市罗湖区嘉宾路友谊大厦五栋3楼G
资质：营业执照
30000
AOS
TO262F
NA
-
原装现货

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 10A TO-262
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
700毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1595pF @ 100V
功率 - 最大值
28W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3 整包，I2Pak
供应商器件封装
TO-262F
标准包装
1,000

AOWF10T60P 技术参数

AOWF10T60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1346pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:28W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-262F 封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 标准包装:1,000 AOWF10N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1645pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF10N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262F 标准包装:1,000 AOW7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:434pF @ 100V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOW7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:372pF @ 100V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:1,000 AOWF12T60 AOWF12T60P AOWF14N50 AOWF15S60 AOWF15S65 AOWF20S60 AOWF240 AOWF25S65 AOWF2606 AOWF296 AOWF412 AOWF4N60 AOWF4S60 AOWF7S60 AOWF7S65 AOWF8N50 AOWF9N70 AOY2610E