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AOWF12N65 IC

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    AOWF12N65 IC

    AOWF12N65 IC

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • AOS/万代

  • TO-262F

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AOWF12N65 IC 技术参数
  • AOWF12N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):720 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2150pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF12N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2100pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF12N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):520 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1633pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF11S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):399 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):646pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF11S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):399 毫欧 @ 3.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):545pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF296 AOWF412 AOWF4N60 AOWF4S60 AOWF7S60 AOWF7S65 AOWF8N50 AOWF9N70 AOY2610E AOY2N60 AOY4158P AOY423 AOY514 AOY516 AOY526 AOY528 AOZ1012DI AOZ1014AI
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