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AOWF2918

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  • AOWF2918
    AOWF2918

    AOWF2918

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • AOS万代

  • TO-262F

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理,原装正品现货!!

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AOWF2918 技术参数
  • AOWF2606 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),51A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4050pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262F 标准包装:1,000 AOWF25S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 12.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1278pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF240 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Ta),83A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3510pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF20S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):199 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1038pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF15S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):841pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOY2N60 AOY4158P AOY423 AOY514 AOY516 AOY526 AOY528 AOZ1012DI AOZ1014AI AOZ1014DI AOZ1015AI AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI
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