AOWF380A60C

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AOWF380A60C
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
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AOWF380A60C 技术参数

AOWF296 功能描述:MOSFET N-CH 100V 37A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:52nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2785pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:26W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.7 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-262F 封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 标准包装:50 AOWF2606 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），51A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4050pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262F 标准包装:1,000 AOWF25S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1278pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF240 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Ta），83A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3510pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF20S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:199 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1038pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOY4158P AOY423 AOY514 AOY516 AOY526 AOY528 AOZ1012DI AOZ1014AI AOZ1014DI AOZ1015AI AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL