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APL6536KI-TR

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  • APL6536KI-TR
    APL6536KI-TR

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • ANPEC/茂达电子

  • SOP-8

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  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 深圳市佳鑫特电子有限公司
    深圳市佳鑫特电子有限公司

    联系人:

    电话:134105056520755-83512964

    地址:深圳市福田区佳和大厦B座2311

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  • 原厂原包装现货

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 24100

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  • SOP8

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  • APL6536KI-TRL
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ANPEC

  • 原厂封装

  • 15+

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  • 原装正品,假一罚十

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • ANPEC

  • 3.9mm

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  • APL6536KI-TR
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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 69200

  • ANPEC茂达

  • SOP8

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  • 全新原装,优势库存

  • APL6536KI-TR
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  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 60000

  • ANPEC/茂达

  • SOP-8

  • 21+

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  • 长期代理优势供应 实单可谈 可开增值税

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9800

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  • SOP

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  • 优势库存,原装现货

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  • 制造商
  • ANPEC
  • 制造商全称
  • Anpec Electronics Coropration
  • 功能描述
  • Four-Channel Supervisory IC
APL6536KI-TR 技术参数
  • APL602LG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 24.5A,12V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9000pF @ 25V 功率 - 最大值:730W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APL602J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):43A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 21.5A,12V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9000pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APL602B2G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 24.5A,12V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9000pF @ 25V 功率 - 最大值:730W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APL502LG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 29A,12V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9000pF @ 25V 功率 - 最大值:730W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APL502J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):52A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 26A,12V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9000pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APLIT415 APLKJIC APLKJIC6SS APLPT400 APLPT410 APLPT500 APLPT510 APLPV400 APLPV401 APLPV410 APLPV411 APLR0600 APLR0610 APLR0630 APLRI600 APLRI610 APLRI630 APLSP3A0
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