APT11GF120BRDQ1G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT11GF120BRDQ1G
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
APTMICROSEMI
TO-247B
22+
-
十年配单，只做原装

APT11GF120BRDQ1G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
TO-247 [B]
17+
-
全新原装现货

APT11GF120BRDQ1G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
APT
TO-247B
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT11GF120BRDQ1G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
IGBT 1200V 25A 156W TO247
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
-
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT11GF120BRDQ1G 技术参数

APT11F80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:80nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2471pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:337W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 标准包装:1 APT11F80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2471pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT10SCE170B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1700V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停產二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1700V 电流 - 平均整流（Io）:23A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1700V 不同?Vr，F 时的电容:1120pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:30 APT10SCE120B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停產二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V 电流 - 平均整流（Io）:43A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:630pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:30 APT10SCD65KCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:17A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:300pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220 [K] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY APT1212