配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT12067LLL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT12067LLL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT12067LLL
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
12984
APT
直插/贴片
2024+
-
全国最底价现货

APT12067LLLG
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
12500
APT
TO-264
21+
-
原厂原装现货

APT12067LLL
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APT12067LLL
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS

APT12067LLL 技术参数

APT12067JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:290nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:570 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SOT-227 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT12067JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:670 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4420pF @ 25V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT12067B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4420pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:565W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:670 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? [B2] 封装/外壳:TO-247-3 变式标准包装:1 APT12067B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:670 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4420pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:30 APT12057LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:570 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:185nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W APT1212WA APT1212WAW APT1212WAY APT1221 APT1221A APT1221AX APT1221AZ APT1221S APT1221SX APT1221SZ APT1221W