APT150GN60LDQ4G全国供应商 APT150GN60LDQ4G资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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价格
说明
操作

APT150GN60LDQ4G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
143
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APT150GN60LDQ4G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT150GN60LDQ4G
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
Microsemi/美高森美
TO-264L
22+
-
十年配单，只做原装

APT150GN60LDQ4G
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
200
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

APT150GN60LDQ4G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
TO-264 [L]
17+
-
全新原装现货

APT150GN60LDQ4G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Microsemi
TO-264L
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT150GN60LDQ4G
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
200
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
IGBT 600V 220A 536W TO-264L
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
-
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT150GN60LDQ4G 技术参数

APT150GN60JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:536W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT150GN60J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:536W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:25μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT150GN60B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):450A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，150A 功率 - 最大值:536W 开关能量:8.81mJ（开）， 4.295mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:970nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/430ns 测试条件:400V，150A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT150GN120JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT150GN120J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG APT15D60BCTG APT15D60BG APT15D60KG APT15DQ100BCTG APT15DQ100BG APT15DQ100KG APT15DQ120BCTG APT15DQ120BG APT15DQ120KG APT15DQ60BCTG APT15DQ60BG APT15DQ60KG APT15DS60BG APT15F50K APT15F60B

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