APT2012LSECK/J3-PRV

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

APT2012LSECK/J3-PRV
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
9
KINGBRIGHT
con
24+
-
光电元件

APT2012LSECK/J3-PRV
香港新鹏辉电子有限公司
香港新鹏辉电子有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区福华路世界贸易广场C座1106
资质：营业执照
175000
Kingbright
LED原厂规格
25+
-
真实的资源竭诚服务您

APT2012LSECK/J3-PRV
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
9
KINGBRIGHT
con
24+
-
光电元件

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功能描述
Red 625nm LED Indication - Discrete 1.8V 0805 (2012 Metric)
制造商
kingbright
系列
HELI2
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
颜色
红
透镜颜色
无色
透镜透明度
透明
毫烛光等级
40mcd
透镜样式/尺寸
矩形，带平顶，1.20mm x 1.25mm
电压 - 正向（Vf）（典型值）
1.8V
电流 - 测试
2mA
视角
120°
安装类型
表面贴装
波长 - 主
625nm
波长 - 峰值
640nm
特性
-
封装/外壳
0805（2012 公制）
供应商器件封装
2-SMD
大小/尺寸
2.00mm 长 x 1.25mm 宽
高度（最大值）
0.75mm
标准包装
1

APT2012LSECK/J3-PRV 技术参数

APT2012F3C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 1.2mW/sr @ 20mA 120° 0805 (2012 Metric) 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:120° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）标准包装:1 APT2012EC 功能描述:Red 617nm LED Indication - Discrete 2V 0805 (2012 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包装:剪切带（CT）零件状态:有效颜色:红透镜颜色:无色透镜透明度:透明毫烛光等级:8mcd 透镜样式/尺寸:矩形，带平顶，1.30mm x 1.25mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2V 电流 - 测试:20mA 视角:120° 安装类型:表面贴装波长 - 主:617nm 波长 - 峰值:627nm 特性:- 封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:片式 LED 大小/尺寸:2.00mm 长 x 1.25mm 宽高度（最大值）:0.75mm 标准包装:1 APT2012CGCK 功能描述:Green 570nm LED Indication - Discrete 2.1V 0805 (2012 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包装:剪切带（CT）零件状态:有效颜色:绿透镜颜色:无色透镜透明度:透明毫烛光等级:50mcd 透镜样式/尺寸:矩形，带平顶，1.30mm x 1.25mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 电流 - 测试:20mA 视角:120° 安装类型:表面贴装波长 - 主:570nm 波长 - 峰值:574nm 特性:- 封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:片式 LED 大小/尺寸:2.00mm 长 x 1.25mm 宽高度（最大值）:0.75mm 标准包装:1 APT200GT60JR 功能描述:IGBT 600V 195A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:195A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.65nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT200GN60JG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:30 APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK APT2012SYCK APT2012SYCK/J3-PRV APT2012VBC/D APT2012YC APT2012ZGC APT2012ZGC/E APT2012ZGCK APT20DC120HJ APT20F50B