APT20GN60SDQ2G

配单专家企业名单

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说明
操作

APT20GN60SDQ2G
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
17496
MICROSEMI/美高森美
NA
22+
-
原厂原装现货

APT20GN60SDQ2G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Microchip Technology
TO-268-3，D?Pak（2 引线
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

APT20GN60SDQ2G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
192
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APT20GN60SDQ2G
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
英飞凌
SOP
20+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

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您是不是要找： APT20GT60BRDQ1G APT20GT60BRG APT20M11JVFR APT20M11JVR APT20M120JCU2 APT20M120JCU3 APT20M19JVR APT20M22B2VFRG APT20M22B2VRG

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APT20GN60SDQ2G 技术参数

APT20GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 功率 - 最大值:136W 开关能量:230μJ（开），580μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/140ns 测试条件:400V，20A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT20GN60BDQ1G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 功率 - 最大值:136W 开关能量:230μJ（开），580μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/140ns 测试条件:400V，20A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT20GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 32A 200W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):64A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:200W 开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/105ns 测试条件:- 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT20GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:36A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):64A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:200W 开关能量:895μJ（开），840μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/120ns 测试条件:800V，15A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT20F50S 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:75nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:290W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 标准包装:1 APT20M22JVRU2 APT20M22JVRU3 APT20M22LVFRG APT20M22LVRG APT20M38BVFRG APT20M38BVRG APT20M38SVFRG APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J