APT25GR120SSCD10全国供应商 APT25GR120SSCD10资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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APT25GR120SSCD10
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
D3Pak
17+
-
全新原装现货

APT25GR120SSCD10
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
250
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT25GR120SSCD10
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
490
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT25GR120SSCD10
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
10000
isc,iscsemi
TO-268
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT25GR120SSCD10
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
438
Microsemi Corporation
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

APT25GR120SSCD10 技术参数

APT25GR120SD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 开关能量:742μJ（开），427μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:600V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT25GR120S 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 开关能量:742μJ（开），427μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:600V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT25GR120BSCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 开关能量:434μJ（开），466μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:600V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT25GR120BD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 开关能量:742μJ（开），427μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:600V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT25GR120B 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 开关能量:742μJ（开），427μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:600V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J

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