APT50GR120L全国供应商 APT50GR120L资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT50GR120L
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
Microsemi/美高森美
TO264
22+
-
十年配单，只做原装

APT50GR120L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
10000
isc,iscsemi
TO-264/TO-3PL
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT50GR120L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT50GR120L
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APT50GR120L
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
50
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

APT50GR120L
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
TO-264
17+
-
全新原装现货

APT50GR120L
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Microsemi
TO264
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT50GR120L
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
50
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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您是不是要找： APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 1200V 117A 694W TO264
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT50GR120L 技术参数

APT50GR120JD30 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:84A 功率 - 最大值:417W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.55nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:117A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:445nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/237ns 测试条件:600V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT50GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:525μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):190A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 开关能量:465μJ（开），637μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/83ns 测试条件:400V，50A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J