APT60M80JVR全国供应商 APT60M80JVR资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT60M80JVRX
深圳市鹏展胜电子有限公司
深圳市鹏展胜电子有限公司
联系人：林先生
电话：0755-8276920313538142003
地址：深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801
资质：营业执照
500
n/a
原厂原装
18+
-
专营原装正品，价钱实惠，有现货，联系电话...

APT60M80JVR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT60M80JVR
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
ISOTOP?
17+
-
全新原装现货

APT60M80JVR
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13960
APT
直插/贴片
2024+
-
代理商库房现货

APT60M80JVR
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc,iscsemi
ISOTOP，SOT-227
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT60M80JVR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
86530
APT
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

APT60M80JVR
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
ISOTOP?/FONT>
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
POWER MOS V®
标准包装
10
系列
*

APT60M80JVR 技术参数

APT60M75L2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 36.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8930pF @ 25V 功率 - 最大值:893W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:264 MAX? [L2] 标准包装:1 APT60M75L2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 36.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8930pF @ 25V 功率 - 最大值:893W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:264 MAX? [L2] 标准包装:1 APT60M75JVR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:62A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1050nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19800pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT60M75JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:62A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 31A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1050nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19800pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT60M75JLL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 29A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8930pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT64GA90B2D30 APT64GA90LD30 APT65GP60B2G APT65GP60J APT65GP60L2DQ2G APT66F60B2 APT66F60L APT66M60B2 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40 APT68GA60LD40 APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B

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