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APT63H60B2

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  • APT63H60B2
    APT63H60B2

    APT63H60B2

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • T-MAXB2

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT63H60B2
    APT63H60B2

    APT63H60B2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • APT

  • T-MAXB2

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • APT63H60B2
    APT63H60B2

    APT63H60B2

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • T-MAX?[B2]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

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  • 1
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APT63H60B2 技术参数
  • APT60S20SG/TR 功能描述:Diode Schottky 200V 75A Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):75A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT60S20SG 功能描述:Diode Schottky 200V 75A Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):75A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA 供应商器件封装:D3 [S] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT60S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 75A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):75A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT60S20B2CTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 75A Through Hole, Radial TO-247-3 Variant 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):75A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 安装类型:通孔,径向 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT60N60SCSG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:超级结 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 44A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):190nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:431W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40 APT68GA60LD40 APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ
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