APT65GP60JDF2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT65GP60JDF2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT65GP60JDF2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13976
APT
直插/贴片
2024+
-
正宗原装现货

APT65GP60JDF2
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APT65GP60JDF2
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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APT65GP60JDF2 技术参数

APT65GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:431W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT65GP60B2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):250A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 功率 - 最大值:833W 开关能量:605μJ（开），896μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/91ns 测试条件:400V，65A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT64GA90LD30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:117A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 开关能量:1192μJ（开），1088μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/131ns 测试条件:600V，38A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT64GA90B2D30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:117A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 开关能量:1192μJ（开），1088μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/131ns 测试条件:600V，38A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT64GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:117A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 开关能量:1857μJ（开），2311μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/131ns 测试条件:600V，38A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L