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APT66M60B2MI

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    APT66M60B2MI

    APT66M60B2MI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖女士

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • Microsemi

  • T-MAX?

  • 11+

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  • 100%进口原装正品,只做原装

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APT66M60B2MI 技术参数
  • APT66M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 33A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT66F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 33A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT66F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 33A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT65GP60L2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):198A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):250A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,65A 功率 - 最大值:833W 开关能量:605μJ(开),895μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:210nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/90ns 测试条件:400V,65A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 安装类型:通孔 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT65GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:431W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,65A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):7.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G
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