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APT75DQ100S

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  • APT75DQ100S
    APT75DQ100S

    APT75DQ100S

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc,iscsemi

  • D3PAK,TO-268

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • APT75DQ100S
    APT75DQ100S

    APT75DQ100S

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • APT

  • D3S

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • APT75DQ100S
    APT75DQ100S

    APT75DQ100S

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ100S 技术参数
  • APT75DQ100BG 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 75A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):75A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):3V @ 75A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 APT75DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):600V 电流 - DC 正向(If):75A 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT75DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):1200V 电流 - DC 正向(If):75A 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT75DF170HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1700V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):1700V 电流 - DC 正向(If):75A 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT70SM70S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):700V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 32.5A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):125nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B APT7F80K APT7M120B
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