APTC60SKM24T1G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTC60SKM24T1G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTC60SKM24T1G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP1
17+
-
全新原装现货

APTC60SKM24T1G
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
13
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APTC60SKM24T1G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
CoolMOS™
标准包装
10
系列
*

APTC60SKM24T1G 技术参数

APTC60SKM24CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V FET 功能:超级结功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTC60HM83FT2G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:255nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7290pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:1 APTC60HM70T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC60HM70T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60HM70SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTC80A15T1G APTC80AM75SCG APTC80DA15T1G APTC80DDA15T3G APTC80DDA29T3G APTC80DSK15T3G APTC80DSK29T3G APTC80H15T1G APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G