APTD1608LQBC/D

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTD1608LQBC/D
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
11000
KINGBRIGHT
LED
23+
-
原厂原装正品现货

APTD1608LQBC/D
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
5000
今台/KINGBRIGH
NA
23+
-
查现货！就到京北通宇商城

APTD1608LQBC/D
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
200
Kingbright
0603（1608 公制）
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存

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1

您是不是要找： APTD1608LSECK/J3-PF APTD1608LSECK/J4-PF APTD1608LSURCK APTD1608LSYCK APTD1608LSYCK/J3-PF APTD1608LVBC/D APTD1608LZGCK APTD1608QBC/D APTD1608SEC/J3

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功能描述
LED BLUE CLEAR SMD
制造商
kingbright
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
颜色
蓝色
透镜颜色
无色
透镜透明度
透明
毫烛光等级
20mcd
透镜样式/尺寸
圆形，带圆顶，0.70mm
电压 - 正向（Vf）（典型值）
2.65V
电流 - 测试
2mA
视角
40°
安装类型
表面贴装
波长 - 主
465nm
波长 - 峰值
460nm
特性
-
封装/外壳
0603（1608 公制）
供应商器件封装
1608
大小/尺寸
1.60mm 长 x 0.80mm 宽
高度（最大值）
1.05mm
标准包装
1

APTD1608LQBC/D 技术参数

APTD1608LCGCK 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售颜色:绿色透镜颜色:无色透镜透明度:透明毫烛光等级:8mcd 透镜样式/尺寸:圆形，带圆顶，0.70mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.65V 电流 - 测试:2mA 视角:60° 安装类型:表面贴装波长 - 主:570nm 波长 - 峰值:574nm 特性:- 封装/外壳:0603（1608 公制）供应商器件封装:1608 大小/尺寸:1.60mm 长 x 0.80mm 宽高度（最大值）:1.05mm 标准包装:1 APTD1608CGCK 功能描述:Green 570nm LED Indication - Discrete 2.1V 0603 (1608 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包装:剪切带（CT）零件状态:有效颜色:绿透镜颜色:无色透镜透明度:透明毫烛光等级:190mcd 透镜样式/尺寸:圆形，带圆顶电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 电流 - 测试:20mA 视角:60° 安装类型:表面贴装波长 - 主:570nm 波长 - 峰值:574nm 特性:- 封装/外壳:0603（1608 公制）供应商器件封装:片式 LED 大小/尺寸:1.60mm 长 x 0.80mm 宽高度（最大值）:0.95mm 标准包装:1 APTCV90TL12T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器 - IGBT，FET 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.77nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTCV60TLM99T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器 - IGBT，FET 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTCV60TLM70T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3 标准包装:100 APTD1608SECK APTD1608SECK/J3-PF APTD1608SECK/J4-PF APTD1608SURCK APTD1608SYC/J3 APTD1608SYCK APTD1608SYCK/J3-PF APTD1608VBC/D APTD1608ZGC APTD1608ZGCK APTD2012LCGCK APTD2012LQBC/D APTD2012LSURCK APTD2012LSYCK APTD2012LVBC/D APTD2012LZGCK APTD3216CGCK APTD3216EC