APTGF250SK60D3G全国供应商 APTGF250SK60D3G资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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APTGF250SK60D3G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

APTGF250SK60D3G
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
APT
原厂原装
23+
-
只做原装正品

APTGF250SK60D3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGF250SK60D3G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
D3
17+
-
全新原装现货

APTGF250SK60D3G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
APT
250A/600V/IGBT+DIODE
2024+
-
全新现货价格优势

APTGF250SK60D3G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
98653
原厂
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

APTGF250SK60D3G
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
APT
原厂原装
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

APTGF250SK60D3G
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
原厂原装
21+
-
只做原装正品

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功能描述
IGBT 600V 400A 1250W D3
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGF250SK60D3G 技术参数

APTGF250DA60D3G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGF250A60D3G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGF200U120DG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 275A 1136W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:275A 功率 - 最大值:1136W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGF200SK120D3G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 300A 1400W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1400W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGF200DA120D3G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 300A 1400W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1400W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGF300DA120D3G APTGF300DA120G APTGF300DU120G APTGF300SK120D3G APTGF300SK120G APTGF300U120DG APTGF30A60T1G APTGF30H60T1G APTGF30H60T3G APTGF30TL601G APTGF30X60T3G APTGF330A60D3G APTGF330DA60D3G APTGF330SK60D3G APTGF350A60G APTGF350DA60G APTGF350DU60G APTGF350SK60G

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