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APTGTQ150TA65TPG

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • 说明
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  • APTGTQ150TA65TPG
    APTGTQ150TA65TPG

    APTGTQ150TA65TPG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • IGBT 类型
  • -
  • 配置
  • 三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 650V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 150A
  • 功率 - 最大值
  • 365W
  • 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
  • 2.2V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)
  • 150μA
  • 不同?Vce 时的输入电容(Cies)
  • 9nF @ 25V
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度
  • -40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • 模块
  • 供应商器件封装
  • SP6-P
  • 标准包装
  • 1
APTGTQ150TA65TPG 技术参数
  • APTGTQ100SK65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:降压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGTQ100H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGTQ100DDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGTQ100DA65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGTQ100A65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGV30H60T3G APTGV50H120BTPG APTGV50H120T3G APTGV50H60BG APTGV50H60T3G APTGV75H60T3G APTH003A0X4-SRZ APTH003A0X-SR APTH003A0X-SRZ APTH006A0X4-SR APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG
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