APTM50AM35FTG全国供应商 APTM50AM35FTG资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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APTM50AM35FTG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
MICROSEMI
标准封装
10+
-
全新原装100%正品保证质量

APTM50AM35FTG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
MICROSEMI
标准封装
10+
-

APTM50AM35FTG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
25
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTM50AM35FTG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APTM50AM35FTG-MODULE
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王女士
电话：13969210552
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
4500
MICROCHIP
NA
近两年
-
查货可到京北通宇商城www.jbchip...

APTM50AM35FTG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP4
17+
-
全新原装现货

APTM50AM35FTG
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
5
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APTM50AM35FTG
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
23587
Microsemi Power Products
原厂封装
2023+
-
原装新到现货库存

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功能描述
MOSFET MOD PHASE LEG 500V SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM50AM35FTG 技术参数

APTM50AM25FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:149A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 74.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:29600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50AM24SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:434nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50AM24SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:434nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50AM19STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 85A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:492nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50AM19FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:163A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22.5 毫欧 @ 81.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:492nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G APTM50DUM25TG APTM50DUM35TG APTM50DUM38TG APTM50H10FT3G APTM50H14FT3G APTM50H15FT1G APTM50HM35FG

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