您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第2571页 >

APTSM120TAM33CTPAG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
APTSM120TAM33CTPAG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • POWER MODULE - SIC
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 散装
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • 6 N-沟道(3 相桥)
  • FET 功能
  • 碳化硅 (SiC)
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 112A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 33 毫欧 @ 60A,20V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3V @ 3mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 408nC @ 20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 7680pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值
  • 714W
  • 工作温度
  • -40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SP6
  • 供应商器件封装
  • SP6
  • 标准包装
  • 10
APTSM120TAM33CTPAG 技术参数
  • APTSM120AM55CT1AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(双),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 40A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):272nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5120pF @ 1000V 功率 - 最大值:470W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:10 APTSM120AM25CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(双),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):148A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 80A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):544nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10200pF @ 1000V 功率 - 最大值:937W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:10 APTSM120AM14CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:* 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(双),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):337A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 180A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1224nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):23000pF @ 1000V 功率 - 最大值:2140W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 标准包装:10 APTSM120AM09CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:有效 标准包装:10 APTSM120AM08CT6AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(双),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):370A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 200A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1360nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):* 功率 - 最大值:2300W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:10 AP-UM001GR13CS-2T AP-UM001GR23CS-2NRT AP-UM001GR23CS-2T AP-UM001GR31CG-2MSNRT AP-UM001GR31CG-2MST AP-UM001GR40CG-2NRT AP-UM001GR40CG-2T AP-UM001GT13ES-2MHNRT AP-UM001GT13ES-2MHT AP-UM001GT13ES-2MSNRT AP-UM001GT13ES-2MST AP-UM001GT13ES-2NRT AP-UM001GT13ES-2T AP-UM001GT23ES-2NRT AP-UM001GT23ES-2T AP-UM001GT31EG-2MSNRT AP-UM001GT31EG-2MST AP-UM001GT40EG-2NRT
配单专家

在采购APTSM120TAM33CTPAG进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买APTSM120TAM33CTPAG产品风险,建议您在购买APTSM120TAM33CTPAG相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的APTSM120TAM33CTPAG信息由会员自行提供,APTSM120TAM33CTPAG内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号