配单专家企业名单

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AS4C16M16MSA-6BIN
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83276452
地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
158
Alliance Memory, Inc.
54-VFBGA
21+
-
全新原装

AS4C16M16MSA-6BIN
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
Alliance
54-VFBGA
22+
-
原厂渠道，现货配单

AS4C16M16MSA-6BIN
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Alliance Memory代理
FBGA-54(8x8)
刚到货
-
Alliance Memory代理可含税...

AS4C16M16MSA-6BIN
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
5000
Alliance
QFP
20+
-
价格优势全新原装正品

AS4C16M16MSA-6BINTR
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王小康
电话：181886423070755-21006672
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
Alliance Memory, Inc.
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

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AS4C16M16MSA-6BIN 技术参数

AS4C16M16MD1-6BCNTR 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 DDR SDRAM 存储容量:256M（16M x 16）速度:166MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TJ）封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FPBGA（8x9）标准包装:1,000 AS4C16M16MD1-6BCN 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 DDR SDRAM 存储容量:256M（16M x 16）速度:166MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TJ）封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FPBGA（8x9）标准包装:160 AS4C16M16D2-25BINTR 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 存储容量:256Mb （16M x 16）时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）安装类型:表面贴装封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TFBGA （12.5x8）标准包装:2,500 AS4C16M16D2-25BIN 功能描述:IC SDRAM DDRII 16BIT 16M 84FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:256M（16M x 16）速度:400MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TFBGA（8x12.5）标准包装:209 AS4C16M16D2-25BCNTR 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 存储容量:256Mb （16M x 16）时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）安装类型:表面贴装封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TFBGA （12.5x8）标准包装:2,500 AS4C16M16S-7BCNTR AS4C16M16S-7TCN AS4C16M16S-7TCNTR AS4C16M16SA-6BAN AS4C16M16SA-6BANTR AS4C16M16SA-6BIN AS4C16M16SA-6BINTR AS4C16M16SA-6TAN AS4C16M16SA-6TANTR AS4C16M16SA-6TCN AS4C16M16SA-6TCNTR AS4C16M16SA-6TIN AS4C16M16SA-6TINTR AS4C16M16SA-7BCN AS4C16M16SA-7BCNTR AS4C16M16SA-7TCN AS4C16M16SA-7TCNTR AS4C16M32MD1-5BCN

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