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AS4C32M16MSA-6BINTR

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AS4C32M16MSA-6BINTR
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
Alliance
54-VFBGA
22+
-
原厂渠道，现货配单

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功能描述
IC SDRAM LP 32M X 16 54FBGA
制造商
alliance memory, inc.
系列
*
零件状态
在售
标准包装
1,000

AS4C32M16MSA-6BINTR 技术参数

AS4C32M16MSA-6BIN 功能描述:IC SDRAM LP 32M X 16 54FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:319 AS4C32M16MS-7BCNTR 功能描述:54-BALL BGA (8X9MM) 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件状态:Digi-Key 停止供應存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile SDRAM 存储容量:512Mb （32M x 16）时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）标准包装:1,000 AS4C32M16MS-7BCN 功能描述:SDRAM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:Digi-Key 停止供應存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile SDRAM 存储容量:512Mb （32M x 16）时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:54-VFBGA 供应商器件封装:54-BGA（9x8）标准包装:264 AS4C32M16MD1A-5BCNTR 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FPBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR 存储容量:512Mb （32M x 16）时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-30°C ~ 85°C（TJ）标准包装:2,000 AS4C32M16MD1A-5BCN 功能描述:SDRAM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR 存储容量:512Mb （32M x 16）时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-30°C ~ 85°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:60-VFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（9x8）标准包装:160 AS4C32M16SB-6TINTR AS4C32M16SB-7TCN AS4C32M16SB-7TCNTR AS4C32M16SB-7TIN AS4C32M16SB-7TINTR AS4C32M16SM-7TCN AS4C32M16SM-7TCNTR AS4C32M16SM-7TIN AS4C32M16SM-7TINTR AS4C32M32MD1-5BCN AS4C32M32MD1-5BCNTR AS4C32M32MD1-5BIN AS4C32M32MD1-5BINTR AS4C32M32MD2-25BCN AS4C32M32MD2-25BCNTR AS4C32M8D1-5TCN AS4C32M8D1-5TCNTR AS4C32M8D1-5TIN