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AS4C512M16D3LC-10BIN

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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

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  • ALLIANCE MEMORY INC

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AS4C512M16D3LC-10BIN 技术参数
  • AS4C512M16D3L-12BINTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:8Gb (512M x 16) 时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(14x9) 标准包装:2,000 AS4C512M16D3L-12BIN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA IND 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR3L SDRAM 存储容量:8G(512M x 16) 速度:800MHz 接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(14x9) 标准包装:190 AS4C512M16D3L-12BCNTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:8Gb (512M x 16) 时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(14x9) 标准包装:2,000 AS4C512M16D3L-12BCN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR3L SDRAM 存储容量:8G(512M x 16) 速度:800MHz 接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(14x9) 标准包装:190 AS4C4M32SA-7TCNTR 功能描述:IC SDRAM 128M 4MX32 86TSOP 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:128M(4M x 32) 速度:143MHz 接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:86-TSOP II 标准包装:1,000 AS4C512M8D3A-12BANTR AS4C512M8D3A-12BCN AS4C512M8D3A-12BCNTR AS4C512M8D3A-12BIN AS4C512M8D3A-12BINTR AS4C512M8D3L-12BAN AS4C512M8D3L-12BCN AS4C512M8D3L-12BCNTR AS4C512M8D3L-12BIN AS4C512M8D3L-12BINTR AS4C512M8D3LA-12BAN AS4C512M8D3LA-12BANTR AS4C512M8D3LA-12BCN AS4C512M8D3LA-12BCNTR AS4C512M8D3LA-12BIN AS4C512M8D3LA-12BINTR AS4C64M16D1-6TCN AS4C64M16D1-6TCNTR
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