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AS4C64M16MD1-5BIN

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖先生

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AS4C64M16MD1-5BIN 技术参数
  • AS4C64M16D3LA-12BINTR 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Digi-Key 停止供應 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(13x8) 标准包装:1,500 AS4C64M16D3LA-12BIN 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:Digi-Key 停止供應 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(13x8) 标准包装:209 AS4C64M16D3LA-12BCNTR 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Digi-Key 停止供應 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(13x8) 标准包装:1,500 AS4C64M16D3LA-12BCN 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:Digi-Key 停止供應 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(13x8) 标准包装:209 AS4C64M16D3LA-12BANTR 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:汽车级,AEC-Q100 包装:带卷(TR) 零件状态:Digi-Key 停止供應 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(13x8) 标准包装:1,500 AS4C64M32MD1-5BINTR AS4C64M32MD2-25BCN AS4C64M32MD2-25BCNTR AS4C64M4SA-7TCN AS4C64M4SA-7TCNTR AS4C64M4SA-7TIN AS4C64M4SA-7TINTR AS4C64M8D1-5BCN AS4C64M8D1-5BCNTR AS4C64M8D1-5BIN AS4C64M8D1-5BINTR AS4C64M8D1-5TCN AS4C64M8D1-5TCNTR AS4C64M8D1-5TIN AS4C64M8D1-5TINTR AS4C64M8D2-25BAN AS4C64M8D2-25BANTR AS4C64M8D2-25BCN
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