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AS4C8M16D1A-5BCN

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AS4C8M16D1A-5BCN 技术参数

AS4C8M16D1-5TINTR 功能描述:动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube AS4C8M16D1-5TIN 功能描述:动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube AS4C8M16D1-5TCNTR 功能描述:动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube AS4C8M16D1-5TCN 功能描述:动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube AS4C8M16D1-5BINTR 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR 存储容量:128Mb （8M x 16）时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-TFBGA（8x13）标准包装:2,500 AS4C8M16S-6TCNTR AS4C8M16S-6TIN AS4C8M16S-6TINTR AS4C8M16S-7BCN AS4C8M16S-7BCNTR AS4C8M16S-7TCN AS4C8M16S-7TCNTR AS4C8M16SA-6BAN AS4C8M16SA-6BANTR AS4C8M16SA-6BIN AS4C8M16SA-6BINTR AS4C8M16SA-6TAN AS4C8M16SA-6TANTR AS4C8M16SA-6TCN AS4C8M16SA-6TCNTR AS4C8M16SA-6TIN AS4C8M16SA-6TINTR AS4C8M16SA-7BCN